氧化铟锡靶材黑化物的光电子能谱分析

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中文摘要：氧化铟锡(ITO)膜是一种广泛应用的透明导电薄膜,工业生产中多采用溅射法制备.溅射法中ITO靶材黑化是困扰ITO导电薄膜工业的主要问题之一.高灵敏度的表面分析技术X射线光电子能谱(XPS)可作为材料失效分析的可靠手段.本文利用XPS分析了ITO靶材黑化物的化学组成,结果表明黑化物由In、Sn、O和C组成,相对原子百分含量In为27.35﹪,Sn为2.39﹪,O为43.86﹪,C为26.40﹪.In、Sn处于亚氧化态;C有部分氧化.元素组成及其含量的变动,加上污染C的干扰,严重削弱了Sn掺杂和O组分缺陷带来的半导化作用,导致制备的ITO膜光电性能变差.择优溅射最可能引起成份比例失常,真空残余的含C气体和泵油蒸汽被认为是污染C的可能来源.分析结果可为ITO靶材黑化机理及其解决办法的研究提供参考依据。

作者：

刘黎明、杨培志、黄宗坦

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作者单位：

昆明物理研究所,云南,昆明,650023

关键词：

氧化铟锡膜黑化物 ITO靶 X射线光电子能谱溅射法

主办单位：

中国兵工学会

中国光学学会

会议名称：

第五届全国夜视技术交流会暨2005年全国瞬态光学与光电子技术交流会

会议时间：

2005-10-01

会议地点：

云南西双版纳

会议母体文献：

第五届全国夜视技术交流会暨2005年全国瞬态光学与光子技术交流会会议论文集

页码：

203-206

出版时间：

2005