C轴择优取向AlN薄膜的制备研究

扫码查看

原文链接

中文摘要：采用直流磁控反应溅射法制备AlN薄膜.研究了靶基距、衬底温度和电极材料对AlN薄膜择优取向的影响.用XRD、AFFM表征了AlN薄膜的结构、表面形貌.结果表明衬底温度为300℃、靶基距为3cm,在Pt电极上可沉积高质量的C轴择优取向AlN薄膜.

作者：

李位勇、张凯、徐丹丹、陈丽丽、顾豪爽

展开 >

作者单位：

湖北大学物理学与电子技术学院,武汉,430062

关键词：

AlN薄膜直流磁控反应溅射法 C轴择优取向衬底温度表面形貌

主办单位：

中国物理学会

会议名称：

第十一届全国电介质物理、材料与应用学术会议

会议时间：

2005-10-24

会议地点：

成都

会议母体文献：

四川大学学报(自然科学版)

页码：

415-417

出版时间：

2005