AlGaN紫外光探测器外延材料生长研究

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中文摘要：本文报道了在蓝宝石衬底上采用金属有机物化学气相淀积技术成功地生长出了GaN基紫外探测器阵列外延材料,生长的高Al组分AlxGa1-xN(x≥0.4)薄膜不裂、表面光亮.并采用X-射线双晶衍射、显微照片等方法对薄膜质量进行了表征.生长的高Al组分AlxGa1-xN薄膜已用于研制64×64元日盲型紫外探测器焦平阵列.

作者：

赵红、赵文伯、周勇、杨晓波

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作者单位：

重庆光电技术研究所,重庆,400060

关键词：

金属有机物化学气相淀积紫外光 AlxGa1-xN薄膜焦平面阵列紫外光探测器外延材料

主办单位：

中国光学学会

会议名称：

2004全国图像传感器技术学术交流会

会议时间：

2004-12-28

会议地点：

重庆

会议母体文献：

半导体光电

页码：

101-102,121

出版时间：

2004