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单晶硅各向异性腐蚀模拟中的存储结构和算法

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本文研究和实现了一种在单晶硅各向异性腐蚀模拟中基于晶格结构模型的表示方法和存储技术,以及相应的模拟算法.基于这种技术和算法的模拟系统在时间和空间的效率方面都有很大的提高,其所能模拟的晶体尺寸已经达到了微米级,可以初步满足对实际加工工艺模拟的需求.

尹宝林、韩秋菊、康建初、王迪

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北京航空航天大学计算机系(北京)

各向异性腐蚀 数据结构 单晶硅 存储结构

上海交通大学

第四届全国微米/纳米技术学术会议

2000-06-14

上海

《微米/纳米科学与技术》第5卷第1期

122-124

2000