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外加电压对用STM进行钛膜氧化结果的影响

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我们研究了扫描隧道显微镜(STM)在不同氧化电压下对钛膜氧化结果的影响,并对实验结果作了分析,通过测试证实了不完全氧化钛膜中存在隧道结结构.

黄萍、沈波、蒋建飞、蔡琪玉、程子川

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上海交通大学微/纳米科学技术研究院(上海)

扫描隧道显微镜 隧道结 STM 钛膜 氧化电压

上海交通大学

第四届全国微米/纳米技术学术会议

2000-06-14

上海

《微米/纳米科学与技术》第5卷第1期

377-379

2000