φ75mmBi<,2>Ti<,2>O<,7>介电薄膜的制备及物理性能研究

扫码查看

原文链接

NETL

中文摘要：Bi<,2>Ti<,2>O<,7>介电薄膜具有较高的介电常数,可用于制备新型绝缘栅场效应器件.我们采用化学溶液沉积法制备了φ75mmBi<,2>Ti<,2>O<,7>介电薄膜,介电常数大于123,厚度不均匀性少于5℅,外加10V电压时,各点漏电流小于5×10<'-8>A/cm<'2>,表明Bi<,2>Ti<,2>O<,7>介电薄膜绝缘性高、介电常数和厚度均匀,适合于制备新型绝缘栅场效应器件.

作者：

王弘、姚伟峰、候云、王栋、张寅、许效红、尚淑霞、余金中

展开 >

作者单位：

山东大学晶体材料国家重点实验室(山东济南)

中国科学院集成光电子国家重点实验室(北京)

关键词：

化学溶液沉积介电薄膜钛酸铋介电性能

主办单位：

中国仪器仪表学会

会议名称：

第四届中国功能材料及其应用学术会议

会议时间：

2001-10-01

会议地点：

厦门

会议母体文献：

第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集

页码：

819-820,838

出版时间：

2001