SU-8厚胶光刻工艺研究

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中文摘要：本文对一种新的负性近紫外光刻胶SU-8的光刻工艺进行了详细研究.SU-8是一种基于环氧树脂的光刻胶,专为要求超厚和高深宽比的MEMS应用而设计,但它对工艺参数的改变非常敏感,难于控制.本文以30μm厚的SU-8为例,详细讨论了前烘温度和时间、曝光时间、中烘温度和时间、显影方式和时间这四个控制要素对光刻胶图形质量的影响.得到的SU-8光刻胶图形侧壁外形陡直,深宽比大(>10),分辨率高(可制出线宽为5μm,甚至2μm的图形),与衬底的附着性强,有望为MEMS提供低成本LIGA型应用.

作者：

唐敏、陈迪、赵小林、倪智萍、朱军、李昌敏、毛海平

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作者单位：

上海交通大学微纳米科学技术研究院(上海)

关键词：

SU-8 高深宽比光刻工艺光刻胶

主办单位：

上海交通大学

会议名称：

第四届全国微米/纳米技术学术会议

会议时间：

2000-06-14

会议地点：

上海

会议母体文献：

《微米/纳米科学与技术》第5卷第1期

页码：

39-41

出版时间：

2000