不同硒化时间制备CuIn0.7Ga0.3Se2薄膜的Raman谱分析

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中文摘要：我们由溅射预制层后两步硒化法制备了用于太阳电池的CuIn0.7Ga0.3Se2(CIGS)合金薄膜，比较了直接升温到最终硒化温度而硒化时间不同制备的CIGS 薄膜的性质。结果显示:在5600C 硒化时间约为40 分钟时CIGS 薄膜质量最好。Raman 光谱测量清楚地显示出薄膜明显的结构区别。其结果与SEM 的相一致。

作者：

刘玮、田建国、孙云、李凤岩、何青、李伟

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作者单位：

南开大学物理科学学院光子学中心，天津300071

南开大学光电子薄膜器件与技术研究所，天津300071

关键词：

金属预制层后硒化 Raman 散射太阳电池薄膜

主办单位：

中国太阳能学会

会议名称：

第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛

会议时间：

2004-11-15

会议地点：

深圳

会议母体文献：

第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛文集

出版时间：

2004