摘要
该文给出一种用MBE方法制备实用的p-HEMT材料方法，其2DEG浓度随材料结构不同在2.0-4.0×10<'12>cm<'-2>之间，室温霍耳迁移率在5000-650cm<'2>v<'-1>S<'-1>之间。厚度不均匀<±1.5；组分不均匀<±1.5；浓度不均匀<±1.5；表面缺陷密度<±100/cm<'2>；通过与器件单位的合作，制备出的栅长为0.7μm p-HEMT器件的直流参数为：I<,dss>～280mA/mm，I<,max>～520-580mA/mm，gm～320-400mS/mm，BV<,DS>>15V(I<,DS=1mA/mm)，BV<,GS>>10V，微波特性：P<,0>～600-900mW/mm，G～6-10dB，ｎ<,add>～40-60℅；栅长为0.4μm 的器件的直流参数：I<,max>～800mA/mm，g<,m>>400mS/mm。
NETL