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TiO<,2>材料的半导化机理探讨

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研究了表面掺杂和高温烧结对TiO<,2>材料半导体的影响,结果表明:TiO<,2>材料在高温条件下可产生间隙离子和氧空位;掺入与T<'4+>离子半径相近的V<'5+>,Nb<'5+>,Sb<'5+>,Mg<'2+>,Li<'+>等离子可与TiO<,2>生成固熔体,从而增加材料的导电粒子数目,改变TiO<,2>材料的能带结构,降低材料的固有阻值,使TiO<,2>材料半导化。

曲宝涵、马传利、杨爱萍

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