纳米硅量子线的发光特性研究

白志刚 ¹俞大鹏 ¹王晶晶 ¹尤力平²

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作者信息

1. 大学物理系介观物理国家重点实验室
2. 大学电子显微镜实验室
折叠

摘要

利用脉冲激光蒸发或高温物理升华的方法，制备出纯度极高、直径分布均匀（１３ｎｍ左右）的硅的一维量子线。光致发光（ＰＬ）测量显示，在３１３．５ｎｍ激光激发下，室温下硅量子线具有红绿蓝三色发光。对硅量子线进行氧化处理后，随氧化时间的增加，红光ＰＬ峰发生蓝移，而绿、蓝峰没有移动。红光ＰＬ与量子尺寸限制效应有关，而绿、蓝光ＰＬ来源于表层氧化硅中的缺陷发光。

关键词

纳米材料/超细粉/纳米硅/量子线/光致发光

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主办单位

中国材料研究会

会议名称

1998年中国材料研讨会

会议时间

1998-12-20

会议地点

北京

会议母体文献

材料研究与应用新进展(上卷)

页码

404-407

出版时间

1998

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