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GaAs衬底上分子束外延HgCdTe材料的位错密度

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于梅芳、巫艳、陈路、陈新强、何力、杨建荣

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中国科学院上海技术物理研究所

GaAs 分子束外延 HgCdTe材料 位错密度

中国物理学会

中国电子学会

中国有色金属学会

第五届全国分子束外延学术会议

1999-06-20

昆明

第五届全国分子束外延学术会议论文集

194-195

1999