阳极氧化法制备多孔硅中的正电子湮没及扫描电子显微镜研究

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阳极氧化法制备多孔硅中的正电子湮没及扫描电子显微镜研究

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NETL

中文摘要：该文用正电子湮没技术和扫描电子显微镜研究了阳极氧化法制备的多孔硅材料。正电子湮没实验表明：随着阳极氧化时间的延长，平均寿命值增大。长寿命（正电子素）成份较少。扫描电子显微镜观察到部分单晶球脱离后形成的微米抗。并对结果进行了分析。

作者：

刘键、岳勇、马创新、王保义、魏龙、王辉耀

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作者单位：

中科院高能物理所核分析室

关键词：

正电子湮没扫描电子显微镜多孔硅

主办单位：

中国物理学会

中国核学会

会议名称：

全国第七届正电子湮没学术会议

会议时间：

1999-04-07

会议地点：

泉州

会议母体文献：

全国第七届正电子湮没学术会议论文集

页码：

84-93

出版时间：

1999