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Al2O3薄膜的制备及在无机EL的应用

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Al2O3薄膜是最为成功的无机EL绝缘薄膜之一.用脉冲反应溅射法制备了厚为50-340 nm的Al2O3薄膜.研究了功率密度、气压和氧气含量等参数对薄膜沉积速率和介电性能的影响.发现在较低功率密度、气压和较高氧气含量下沉积的薄膜的品质因子较好.同时与电子束蒸发的Al2O3薄膜的介电性能作了比较,脉冲反应溅射制备的Al2O3薄膜的漏电流密度要低两个数量级.把上述薄膜应用于ZnS: Mn TFEL器件中,获得了最好的耐压大于320 V、亮度达1760 cd·m-2.

徐毅、林明通、陈涛、肖田、黄浩、陈晨曦

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上海广电电子股份有限公司平板显示技术研究开发中心,上海200081

脉冲反应溅射 电子束蒸发 氧化铝薄膜 沉积速率 介电性能 无机EL器件

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2006中国平板显示学术会议论文集(上卷)

355-358

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