Ti1-xCoxO2稀磁半导体薄膜的制备、结构及磁性研究

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中文摘要：本文用磁控溅射法在单晶Si(100)基片上,室温条件下制备了Ti1-xCoxO2稀磁半导体薄膜.为了比较,我们分别以Co粉和Co2O3粉为掺杂物制备了薄膜样品.溅射完毕后,将样品在大气中进行高温退火处理,保温时间2小时,自然冷却. 我们采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、振动样品磁强计(VSM)和超导量子干涉仪(SQUID)对样品进行了测试。

作者：

李建民

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作者单位：

(Missing)

关键词：

稀磁半导体薄膜磁控溅射法掺杂物退火处理晶体结构

主办单位：

中国金属学会

会议名称：

2006年全国首届电磁材料及器件学术会议

会议时间：

2006-10-10

会议地点：

四川绵阳

会议母体文献：

2006年全国首届电磁材料及器件学术会议论文集(会议程序册)

页码：

159-160

出版时间：

2006