CdS纳米晶薄膜的制备及其光电化学性能的研究

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中文摘要：Ⅱ-Ⅵ族半导体材料CdS薄膜因其对可见光敏感,是一种重要的光敏半导体,被广泛应用于光电子学领域.在光伏转换方面,CdS作为直接能隙半导体,其带隙约为2.42 eV,是一种良好的窗口层材料和过渡层材料,在太阳能电池、传感器、光探测器、激光材料、光波导器件和非线性集成光学器件等领域具有广阔的应用前景.CdS薄膜的制备方法主要有真空热蒸发、溅射、激光蒸发、电沉积和化学沉积等等.本文将水热方法和传统的doctor-blade技术相结合制备了CdS纳米晶薄膜,并研究了不同的煅烧温度对CdS薄膜电极光电性能的影响,从而找出最佳的实验条件。

作者：

贾会敏、艾智慧、贾法龙、张礼知

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作者单位：

华中师范大学,化学学院,农药与化学生物学教育部重点实验室,武汉,430079

关键词：

CdS薄膜纳米晶薄膜光电化学性能太阳能电池 Ⅵ族半导体材料水热方法

主办单位：

中国化学会

中国可再生能源学会

中山大学

会议名称：

2006年全国太阳能光化学与光催化学术会议

会议时间：

2006-11-06

会议地点：

广州

会议母体文献：

2006年全国太阳能光化学与光催化学术会议

页码：

337-338

出版时间：

2006