MBE生长中缓冲层对InSb/GaAs质量影响的研究

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中文摘要：用分子束外延(MBE)方法在GaAs(001)衬底上外延生长了InSb薄膜,并研究了异质外延InSb薄膜生长中缓冲层对材料质量的影响.采用原子力显微镜(AFM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线双晶衍射(DCXRD)等方法研究了InSb/GaAs薄膜的表面形貌、界面特性以及结晶质量.通过生长合适厚度的缓冲层,获得了室温下DCXRD半高峰宽为272",迁移率为64 300 cm2V-1s-1的InSb外延层。

作者：

李占国、刘国军、尤明慧、熊敏、哈尔滨工业大学、李梅、李林

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作者单位：

长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室,吉林,长春,130022

黑龙江,哈尔滨,150001

关键词：

分子束外延生长 InSb薄膜 GaAs衬底缓冲层材料质量原子力显微镜透射电子显微镜

主办单位：

中国宇航学会

红外与激光编辑部

会议名称：

2007年激光技术发展与应用学术交流会

会议时间：

2007-07-01

会议地点：

长春

会议母体文献：

红外与激光工程

页码：

424-427

出版时间：

2007