SiC外延工艺中的气体流体模型

扫码查看

原文链接

中文摘要：本文构建了热壁CVD法生长α-SiC外延的气体流体力学模型,并通过COMSOL模拟软件计算对基座的几何形状进行设计.结果表明基座的几何形状改变,影响衬底表面的气流分布;基座有一定的倾斜角度,可以使其表面气流分布均匀,有利于得到高质量的α-SiC外延片.

作者：

贾仁需、张义门、张玉明、郭辉

展开 >

作者单位：

西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071

关键词：

SiC 流体模型 COMSOL 模拟软件

主办单位：

中国电子学会

会议名称：

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议时间：

2006-11-01

会议地点：

广西北海

会议母体文献：

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

页码：

605-608

出版时间：

2006