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前处理蓝宝石衬底上生长高质量GaN薄膜
彭冬生 1冯玉春 1牛憨笨1
作者信息
- 1. 深圳大学光电子学研究所,深圳,518060
- 折叠
摘要
采用化学方法腐蚀部分c-面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用LP-MOCVD在此经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)、透射光谱分析GaN薄膜的晶体质量和光学质量.分析结果表明,GaN薄膜透射谱反映出的GaN质量与X射线双晶衍射测量的结果一致,即透射率越大,半高宽越小,结晶质量越好;对蓝宝石衬底进行前处理可以大大改善GaN薄膜的晶体质量和光学质量,其(0002)面及(10-12)面XRD半高宽(FWHM)分别降低到208.80arcsec及320.76arcsec。
关键词
前处理/MOCVD/蓝宝石衬底/GaN薄膜/外延生长/光学质量引用本文复制引用
主办单位
中国电子学会会议名称
第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议会议时间
2006-11-01会议地点
广西北海会议母体文献
第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议页码
217-220出版时间
2006