成核层退火压力对形成高阻GaN的作用

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中文摘要：本文采用了MOCVD生长技术来获得高阻GaN,发现GaN的方块电阻会随着成核层退火压力的降低而迅速升高.当成核层退火压力降到75torr时,形成了高阻GaN,方块电阻达到1011Ω/sq以上.原子力显微镜结果显示高阻GaN的表面非常平整,表面粗糙度只有0.15nm.在位激光检测发现高阻样品的成核层经过退火后会形成密度较高的成核岛.样品的X射线分析结果表明,随着退火压力的改变,刃型位错相对于螺型位错会有较大变化.说明刃型位错是GaN电阻变化的主要原因.

作者：

许谏、张国义、沈波、许福军、苗振林、王茂俊、黄森、鲁麟、潘尧波、杨志坚

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作者单位：

北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871

关键词：

刃型位错 MOCVD生长高阻GaN材料表面粗糙度在位激光检测

主办单位：

中国电子学会

会议名称：

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议时间：

2006-11-01

会议地点：

广西北海

会议母体文献：

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

页码：

255-258

出版时间：

2006