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利用MOCVD无掩模横向外延法制备GaN薄膜
张帷 1深圳大学光电研究所广东光电子器件与系统省重点实验室 2刘彩池 1郝秋艳 1冯玉春3
作者信息
- 1. 天津河北工业大学信息功能材料研究所,300130
- 2. 光电子器件与系统教育部重点实验室,518060
- 3. 深圳大学光电研究所广东光电子器件与系统省重点实验室,光电子器件与系统教育部重点实验室,518060
- 折叠
摘要
本文在蓝宝石衬底上利用金属有机物气相外延(MOCVD))方法对无掩模横向外延(ELO)GaN薄膜进行了研究.实验中在蓝宝石衬底上用化学腐蚀法刻蚀出图案,再沉积低温GaN缓冲层作为外延层的子晶层,最终沉积高温GaN,制备出低位错密度的GaN外延层.文章分析了横向外延沉积的原理,并分别利用x射线衍射,湿法腐蚀以及扫描电子显微镜对外延层进行检测,实验结果证明利用无掩模横向外延技术可以生长出位错密度较低的表面形貌明显提高的GaN薄膜.
关键词
GaN薄膜/无掩模横向外延/金属有机物气相外延/蓝宝石衬底/化学腐蚀法/位错密度引用本文复制引用
主办单位
中国电子学会会议名称
第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议会议时间
2006-11-01会议地点
广西北海会议母体文献
第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议页码
378-381出版时间
2006