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电化学交流阻抗法研究n-型硅片表面铜沉积行为

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采用电化学交流阻抗法研究ｎ－型硅片表面的铜沉积行为，并通过等效电路的分析，揭示了硅片／氢氟酸的界面特性，计算出界面电化学反应的动力学参数：极化电阻值，探讨了ｎ－型硅片表面的铜沉积机理。研究还表明，电化学交流阻抗法对研究稀释氢氟酸溶液中ｐｐｂ浓度水平的微量铜离子对硅的污染极为敏感，有望成为硅片表面微量铜污染的有效检测手段。

程璇、林昌健

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