1.3μmInGaAsP半导体激光器的电子辐照效应

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中文摘要：1.3μmInGaAsP半导体激光器广泛用于光纤通信系统中。为了扩大其应用至核环境和外层空间，该文对mInGaAsP半导体激光器的电子辐照进行了研究。在电子能量为0.4-1.8MeV范围内，注量小于2×10<'16>im<'-2>条件下进行辐照，对mInGaAsP半导体激光器的输出性能影响是非致命的。辐照注量达1×10<'16>m<'-2>时，激光器的输出功率呈数理级下降，而镀以Y<,2>O<,3>-ZrO<,4>膜的半导体激光器的抗辐照性能得到提高。

作者：

林理彬、王浙辉、祖小涛

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作者单位：

四川大学物理系辐射物理及技术国家教委开放实验室(成都)

关键词：

半导体激光器抗辐器电子辐照

主办单位：

中国电子学会

中国核学会

会议名称：

第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会

会议时间：

1999-05-01

会议地点：

扬州

会议母体文献：

第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会论文集

页码：

120-124

出版时间：

1999