纳米TiO<,2>掺杂ZnO压敏电阻实验研究

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纳米TiO<,2>掺杂ZnO压敏电阻实验研究

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中文摘要：纳米TiO<,2>掺杂制备ZnO压敏电阻，由于纳米TiO<,2>具有较好的分散性，比表面积大，活性大，改善了烧结特性，更能促进晶粒长大。与微米TiO<,2>掺杂相比，压敏电压降低26℅，设计达到某一压敏电压值，纳米TiO<,2>掺杂量仅为微米TiO<,2>掺杂量的60℅。纳米TiO<,2>掺杂ZnO压敏电阻参数性能优于微米TiO<,2>掺杂。

作者：

孙丹峰、季幼章、冯士芬、董敏

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作者单位：

中国科学院固体物理研究所(合肥)

中国科学院等离子体物理研究所(合肥)

关键词：

纳米TiO<,2> 掺杂 ZnO压电敏电阻

主办单位：

中国电子学会

会议名称：

第七届压敏电阻器学术年会

会议时间：

1999-09-01

会议地点：

兰州

会议母体文献：

第七届压敏电阻器学术年会论文集

页码：

19-21

出版时间：

1999