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硅基平面热线式NH<,3>敏元件的研究

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利用液相掺Sb的化学共沉淀方法制备了SnO<,2>-Sb纳米微粉,以其为气敏基体材料加入一些适量的掺寻研磨成气敏浆料,涂于带有Pt膜电极的硅衬底片上,经700℃焙烧制成气敏元件,对H<,2>、C<,2>H<,5>OH、NH<,3>等比较敏感。用NH<,4>VO<,3> 1.5wt℅的溶液含浸该元件,可改善元件对NH<,3>的选择性。

全宝富、金丽妍、全海英、陈丽华、孙良彦

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吉林大学电子工程系(长春)

化学共沉淀法制备 SnO<,2>-Sb纳米微粉 半导体气敏元件

中国电子学会

中国仪器仪表学会

中国航空学会

中国生物医学工程学会

第六届全国敏感元件与传感器学术会议

1999-10-01

北京

第六届全国敏感元件与传感器学术会议论文集

267-270

1999