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I-GaAs单晶性能评价技术研究

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该文提出将背栅、光敏、无栅漏电流的均匀性等在片检测参数作为评价半绝缘GaAs单晶质量的另外几个标称参数,并将其结果与低噪声GaAsMESFET和GaAs超高速模拟开关的电性能及成品率进行对照。文中介绍了原理、设计以及该技术应用的初步结果。

张绵、王云生

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集成电路国家重点实验室, 电子工业部第十三研究所(石家庄)

I-GaAs单晶 性能评价

中国电子学会

全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议

1998-10-01

宜昌

全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议论文集

67-70

1998