原子力显微镜测量光辅助湿法刻蚀后的氮化镓并估算其位错密度

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中文摘要：对采用分子束外延技术生长的氮化镓进行位错密度的分析,目前的报道并不多.本文介绍了采用光辅助湿法刻蚀氮化镓后进行原子力显微镜(AFM)的分析,可以估算氮化镓的位错密度.并采用X-ray衍射的二维三轴maping图谱(TDTAM)计算位错密度的方法对估算结果进行验证,得到一致的结果.表明:使用光辅助湿法刻蚀氮化镓后的AFM分析估算氮化镓的位错密度是一个有效而直观的方法.

作者：

赵智彪、齐鸣、李爱珍、李伟、祝向荣

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作者单位：

中国科学院信息功能材料国家重点实验室, 中国科学院上海冶金研究所(上海)

关键词：

氮化镓分子束外延位错密度湿法刻蚀 X-ray衍射分析

主办单位：

中国电子学会

中国有色金属学会

会议名称：

第六届全国分子束外延学术会议

会议时间：

2001-08-05

会议地点：

贵阳

会议母体文献：

第六届全国分子束外延学术会议论文集

页码：

64-67

出版时间：

2001