反应离子刻蚀制作SOI脊形光波导

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中文摘要：SOI(silicon-on-insulator)光波导是硅基光波导器件的基础上,也是实现其它有源器件无源器件以及光学器件交叉连接的基础.三维脊形光波导引入水平方向的折射率差,加强了波导对光场的限制,可以实现大截面尺寸单模传输的SOI光波导.采用反应离子刻蚀方法制作了脊形SOI光波导.本文讨论了气体流量、射频功率以及刻蚀深度对刻蚀速率的影响,分析了硅的各向异性反应离子刻蚀机理.通过优化工艺条件,制作出边缘垂直的脊形结构SOI光波导.

作者：

严清峰、魏红振、夏金松、余金中

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作者单位：

中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室(北京)

关键词：

SOI 光波导反应离子刻蚀工艺条件刻蚀速率

主办单位：

中国电子学会

会议名称：

第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议时间：

2001-10-10

会议地点：

成都

会议母体文献：

第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会论文集

页码：

118-122

出版时间：

2001