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GaN基高亮度蓝光LED材料的生长研究

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利用金属有机化合物气相外延(MOVPE)设备获得了高质量的InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构的蓝光发光二极管(LED)材料.X射线衍射(XRD)测量数据和模拟结果之间非常好的一致性证实了MQW层的高的晶体质量,光荧光谱的半高全宽(FWHM)只有124meV.通过优化搀杂比,获得了高达7'1017cm-3的空穴浓度.

郭文平、胡卉、韩彦军、孙长征、罗毅

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清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室(北京)

InGaN MQW XRD MOVPE LED p型搀杂 蓝色发光二极管 GaN基材料 化合物半导体

中国物理学会

第八届全国LED产业研讨与学术会议

2002-09-13

青岛

第八届全国LED产业研讨与学术会议论文集

40-42

2002