GaAs基共振隧穿二极管(RTD)材料结构设计

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中文摘要：本文在深入细致地分析RTD材料结构参数与器件特性参数关系的基础上,对以SI-GaAs为衬底的共振隧穿二极管(RTD)分子束外延(MBE)材料生长结构进行了设计.结果表明,用此材料研制成的RTD器件,室温电流峰谷比PVCR达到7.6:1,最高振荡频率为54GHz,开关时间为10<'-11>s数量级,这些参数值表明,材料设计是成功的.

作者：

郭维廉、梁惠来、牛萍娟、张世林、赵振波

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作者单位：

天津大学电子信息工程学院(天津)

天津工业大学信息与通信工程学院(天津)

关键词：

GaAs材料分子束外延半导体材料共振隧穿二极管结构设计

主办单位：

中国电子学会

会议名称：

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议时间：

2002-10-01

会议地点：

厦门

会议母体文献：

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集

页码：

170-174

出版时间：

2002