ZnO是一种新型的宽禁带直接带系半导体材料,为极性半导体,呈n型.本文以NH<,3>为掺杂源,利用直流反应磁控溅射技术成功制备出了p型ZnO薄膜,并研究了气氛中不同的NH<,3>含量[NH<,3>/(NH<,3>+O<,2>)=0,0.25,0.50,0.75,1]对薄膜结构、光学和电学特性的影响.结果表明,在50﹪的NH<,3>含量下,其电学性能最好;p型ZnO薄膜在可见光区域也具有很高的透射率,为90﹪,室温下光学带宽约为3.21eV.当NH<,3>含量为100﹪时,生成的薄膜为Zn膜,呈多晶状态,没有得到Zn<,3>N<,2>薄膜.同时首次在p-Si(100)衬底上制备出了ZnO的同质p-n结.
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