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掺杂ZnO薄膜研究

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采用电子束蒸发方法在玻璃衬底上制备ZnO薄膜和掺杂ZnO薄膜.通过X射线衍射、台阶仪及Hall效应等测试研究了衬底温度和掺杂对晶体质量和电学性能的影响,发现原位长生的ZnO薄沿c轴择优生长,且掺杂ZnO薄膜具有低达3.029×10<'-4>Ω·cm的电阻率.

郝瑞亭、刘焕林、杨宇

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云南大学材料科学与工程系(云南昆明)

ZnO薄膜 电子束蒸发 电学性能 XRD分析 半导体材料 掺杂ZnO薄膜

中国仪器仪表学会

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中国有色金属学会

第五届中国功能材料及其应用学术会议

2004-09-12

秦皇岛

第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅰ

157-159

2004