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CdZnTe晶体欧姆接触电极的制备工艺研究
陈继权 1孙金池 1李阳平 1刘正堂1
作者信息
摘要
高阻CdZnTe晶体是X射线及γ射线探测最优秀的材料.制备CdZnTe探测器最关键的技术之一就是在CdZnTe表面制备出欧姆接触薄膜电极.关于在CdZnTe晶体表面制备接触电极用导电薄膜,大都是采用蒸发镀膜技术,膜层与CdZnTe晶体结合不很牢固.本论文主要开展了在CdZnTe晶体上欧姆接触电极的选材和制备工艺的研究.理论分析了金属与CdZnTe半导体的接触关系,根据影响因素选择Cu/Ag合金作为电极薄膜材料.利用射频磁控溅射法成功地在CdZnTe晶体上制备出Cu/Ag膜.研究发现Cu/Ag合金膜的电阻率随溅射功率的增大而增大、衬底温度的升高而降低.从理论上对这一规律进行了解释.
关键词
碲锌镉/欧姆接触/薄膜/磁控溅射/电阻率引用本文复制引用
主办单位
中国仪器仪表学会/中国金属学会/中国稀土学会/中国复合材料学会/中国有色金属学会会议名称
第五届中国功能材料及其应用学术会议会议时间
2004-09-12会议地点
秦皇岛会议母体文献
第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅱ页码
1215-1218出版时间
2004