MBE生长940nm应变量子阱半导体激光器研究

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中文摘要：本文采用高真空分子束外延设备生长InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱半导体材料,对InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱结构进行生长温度、生长时间和Ⅴ-Ⅲ族束流比等关键因素的优化设计,获得了高质量的外延材料.并成功研制出940nm应变量子阱半导体激光器在条宽100μm,腔长800μm时,阈值电流为0.41A,输出功率可达1W.

作者：

董明礼、曲轶、艾立昆、李银柱、李玉英、袁俊、何江玲

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作者单位：

昆明物理研究所,昆明,650223

长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022

上海微系统与信息系统研究所,上海,200050

关键词：

MBE 应变量子阱半导体激光器

主办单位：

中国电子学会

会议名称：

第八届真空技术应用学术年会

会议时间：

2005-04-01

会议地点：

厦门

会议母体文献：

第八届真空技术应用学术年会论文集

页码：

104-107

出版时间：

2005