GaN基准二维八重光子准晶的研制

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中文摘要：在GaN基多层外延膜结构上利用聚焦Ga离子束(FIB)刻蚀技术研制亚微米尺度的空气柱/Ⅲ族-氮化物的二维八重准晶型光子晶体.在相同的离子加速电压条件下,成功地得到占空比10﹪至40﹪、孔径为80nm至1500nm、深度为90nm至370nm的GaN基准二维八重光子准晶阵列.并将其运用于GaN基发光二极管.

作者：

张振生、章蓓、徐军、任谦、杨志坚、经光银、王琦、胡晓东、于彤军、俞大鹏、张国义

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作者单位：

北京大学物理学院

关键词：

GaN 光子晶体离子束刻蚀

主办单位：

中国电子学会

会议名称：

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议时间：

2004-08-02

会议地点：

大连

会议母体文献：

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议论文集

页码：

170-173

出版时间：

2004