微腔调制常温Ge量子点光荧光特性研究

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中文摘要：本文报道了微腔对Ge量子点常温光荧光的调制特性.生长在SOI硅片上的Ge量子点的常温光荧光呈多峰分布,随波长增加,峰与峰之间的间隔增加.这种多峰结构与SOI硅片所形成的微腔有关,只有满足特定波长的光荧光才能透出腔体并被探测器搜集.模拟结果与实验结果吻合的很好,变功率实验也进一步证实了我们的结论.

作者：

李传波、毛容伟、左玉华、成步文、余金中、王启明

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作者单位：

中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京)

关键词：

微腔光荧光特性 Ge量子点调制作用

主办单位：

中国电子学会

会议名称：

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议时间：

2004-08-02

会议地点：

大连

会议母体文献：

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议论文集

页码：

546-550

出版时间：

2004