AlGaAs/GaAs HBT的结构与工艺改进

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中文摘要：在原有的异质结双极晶体管(HBT)器件结构及工艺基础上进行改进,利用湿法刻蚀自对准工艺设计制作了AlGaAs/GaAs HBT.经过实验对比;工艺改进前后,在相同的J<,C>=3.25×10<'4>A/cm<'2>情况下,其增益由原来的180提高至260,器件性能有了明显提高.

作者：

胡海洋、牛萍娟、董宏伟、王文新、周均铭

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作者单位：

中国科学院物理研究所(北京)

天津工业大学(天津)

关键词：

GaAs 双极晶体管湿法刻蚀自对准工艺制作工艺

主办单位：

中国电子学会

会议名称：

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议时间：

2004-08-02

会议地点：

大连

会议母体文献：

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议论文集

页码：

70-72

出版时间：

2004