硅ICP同步刻蚀中掩膜对刻蚀特性的影响

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中文摘要：刻蚀是微器件制作中的关键技术之一,刻蚀结果会直接影响器件的性能.ICP(Inductively Coupled Plasma)刻蚀技术具有刻速快、各向异性高、刻蚀损伤小、大面积均匀性好等优点,已经成为了干法刻蚀中的主流技术.本文主要研究了利用国产ICP刻蚀设备,在同步刻蚀技术下进行硅浅刻蚀时,掩膜对刻蚀特性的影响,优化了不同掩膜下的工艺刻蚀参数,并对其结果进行了分析.

作者：

樊中朝、余金中、陈少武、严清峰、王良臣

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作者单位：

中国科学院半导体研究所(北京)

关键词：

硅 ICP 掩膜刻蚀

主办单位：

中国电子学会

会议名称：

第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会

会议时间：

2003-10-22

会议地点：

北京

会议母体文献：

第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会论文集

页码：

231-234

出版时间：

2003