提高MEMS侧壁陡度的一种新方法

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提高MEMS侧壁陡度的一种新方法

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中文摘要：随着微型机电系统(MEMS)的迅速发展,对生产MEMS的微细加工设备的需求也越来越大.本文重点介绍深度光刻机中的掩模和硅片间的菲涅耳衍射对侧壁陡度的影响,以及运用一种微阵列积分镜去平滑菲涅耳衍射效应,从而提高MEMS的侧壁陡度,最后给出了实验的结果.

作者：

余国彬、姚汉民、胡松

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作者单位：

中国科学院光电技术研究所(成都)

关键词：

MEMS 深度光刻机微阵列积分镜侧壁陡度微机械电子系统菲涅尔衍射

主办单位：

国家自然科学基金委员会

科技部

解放军总装备部

清华大学

重庆大学

会议名称：

第五届全国微米/纳米技术学术会议

会议时间：

2001-10-01

会议地点：

重庆

会议母体文献：

压电与声光2001第23卷5增刊

页码：

116-118

出版时间：

2001