R.F溅射Ba<,0.5>Sr<,0.5>TiO<,3>/RuO<,2>薄膜及其介电特性研究

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中文摘要：用R.F.磁控溅射法在p-Si(100)衬底上沉积Ba<,0.5>Sr<,0.5>TiO<,3>/RuO<,2>异质结,BST薄膜的晶相和表面形貌XRD和SEM分析,表明在衬底度为550℃时,薄膜的结晶度高、表面粗糙、晶粒较大.电容器InGa/BST/RuO<,2>的介电特性曲ε-V特性和I-V特性描述.薄膜在零偏压下ε=230、tgδ=0.03.低电场条件下,薄膜的漏电流随电压呈饱和特性,属电子跳跃传导,且通过改善薄膜的结晶度可减小该漏电流.高电场条件下,漏电流符合肖特基发射规律.

作者：

张柏顺、章天金、江娟、刘江华

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作者单位：

湖北大学物理学与电子技术电学院(湖北武汉)

关键词：

BST薄膜射频溅射底电极结晶度介电特性

主办单位：

中国光学学会

会议名称：

第十届全国光电技术与系统学术会议

会议时间：

2003-08-01

会议地点：

长沙

会议母体文献：

光电子技术与信息/2003.8增刊

页码：

380-386

出版时间：

2003