不同熔体配比的Inp晶片FT-IR测试分析

扫码查看

原文链接

NETL

中文摘要：该文采用原位磷注入合成法在高压单晶炉内分别合成了富铟、近化学配比、富磷的InP熔体，利用液封直拉法（LEC）分别从不同化学计量比条件下的IsP熔体中生长InP单晶材料。对材料进行了村立叶变换红外吸收谱（FT-IR）的测试。测试结果表明：①本文采用原位磷注入合成LEC生长的InP晶体含有相对较高浓度的氢的复合体，以至于室温条件下己能检测到2316cm-1氢的局域振动模（H-LVM）；②2316cm-1蜂的强度随富铟，近化学配比，富磷熔体化学计量比条件的变化逐渐增强。

作者：

陈旭东、孙聂枫

展开 >

作者单位：

部第十三研究所(石家庄)

关键词：

熔体配比 Inp晶片 FT-IR测试分析

主办单位：

中国电子学会

会议名称：

全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议

会议时间：

1998-10-01

会议地点：

宜昌

会议母体文献：

全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议论文集

页码：

146-149

出版时间：

1998