PVT法生长SiC晶体的新缺陷研究

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中文摘要：本文研究了物理气相传输方法(PVT)生长的SiC晶体缺陷.SiC晶体在熔融KOH腐蚀后,用光学显微镜和扫描电镜进行观察发现了新缺陷,包括4H-SiC晶体中的三角形腐蚀坑、浅六角形腐蚀坑和具有枝晶结构的硅包裹物.具有枝晶结构硅包裹物的尺寸可达数微米.在同一籽晶上生长,同一生长面上会得到具有不同极性面的6H和4H-SiC晶体.6HC和4H-SiC的多型晶界是诱导产生微管的因素之一.

作者：

朱丽娜、李河清、胡伯清、吴星、陈小龙

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作者单位：

中国科学院物理研究所,北京市603信箱,100080

关键词：

碳化硅晶体缺陷硅包裹物微管气相传输枝晶结构

主办单位：

中国硅酸盐学会

天津市硅酸盐学会

会议名称：

华北地区硅酸盐学会第八届学术技术交流会

会议时间：

2005-09-22

会议地点：

天津

会议母体文献：

华北地区硅酸盐学会第八届学术技术交流会论文集

页码：

173-178

出版时间：

2005