SOI材料的发展动态

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中文摘要：由于SOI材料具有自隔离,体漏电小,寄生电容小,抗辐射,无体硅闩锁效应等特点,被公认是21世纪替代体硅的新型信息材料.本文主要简要地介绍了SOI材料的主要性能特点以及国内外SOI材料制备的几种主要方法.并指出Smart-cutSOI技术集SIMOX技术和BESOI技术的优点于一体.

作者：

张书玉、张维连、索开南、张生才、姚素英

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作者单位：

河北工业大学,半导体材料研究所,天津,300130

天津大学电子信息工程学院,天津,300072

关键词：

信息材料体硅 SOI材料硅集成

主办单位：

中国硅酸盐学会

天津市硅酸盐学会

会议名称：

华北地区硅酸盐学会第八届学术技术交流会

会议时间：

2005-09-22

会议地点：

天津

会议母体文献：

华北地区硅酸盐学会第八届学术技术交流会论文集

页码：

222-224

出版时间：

2005