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Si(111)衬底上非晶态GaN薄膜的晶化过程

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采用磁控溅射法在Si(111)衬底上直接淀积GaN薄膜。通过X射线衍射谱(XRD)、X光电子能谱(XPS)和扫描电子显微镜(SEM)研究GaN薄膜由非晶态向多晶态的转化过程。实验结果表明：(1)在900℃氮气气氛中退火,非晶态GaN保持不变；(2)在900℃氨气气氛中退火,虽然非晶态GaN转化为多晶态GaN,但却出现中间相金属Ga；(3)在非晶态GaN向多晶态GaN转化过程中,GaN晶粒将逐渐增大。

肖洪地、马洪磊、刘蓉、马瑾、林兆军

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山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100

山东体育学院,基础理论系,山东,济南,250063

非晶GaN薄膜 多晶GaN薄膜 Si衬底 氨气气氛 磁控溅射法

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