HfO2薄膜的制备与光学性能

刘文婷 ¹刘正堂 ¹许宁 ¹鹿芹芹 ¹闫锋¹

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作者信息

1. 西北工业大学,材料学院,陕西,西安,710072
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摘要

采用射频磁控反应溅射法,以高纯热压HfO2陶瓷为靶材,在Si衬底上成功制备出HfO2薄膜。系统研究了工艺参数对薄膜沉积速率的影响规律,并对薄膜的光学性能进行了研究。结果表明,射频功率对薄膜沉积速率的影响最为明显,O2/Ar流量比和衬底温度对沉积速率的作用不明显。所制备薄膜的折射率较高在近红外波段趋于1.95,在500～1650nm波段范围内薄膜几乎无吸收,透过率较高。

关键词

射频磁控反应溅射法/HfO2薄膜/热压HfO2陶瓷/沉积速率/光学性能

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主办单位

中国仪器仪表学会/中国物理学会/中国光学学会

会议名称

第六届中国功能材料及其应用学术会议

会议时间

2007-11-15

会议地点

武汉

会议母体文献

第六届中国功能材料及其应用学术会议

页码

309-311

出版时间

2007

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