界面介质层对GaN基LED漏电流的影响

李军 ¹范广涵¹

扫码查看

作者信息

1. 华南师范大学光电子材料与技术研究所广东广州 510006
折叠

摘要

在LED电极欧姆接触中,载流子在金属电极和半导体间有不同的传输机制,通过载流子在金属半导体界面传输机制的模拟,讨论了界面介质层及其势垒对器件串联电阻和漏电流的影响,介质层电阻比起LED的串联电阻小的多,可以忽略不计;但是随着器件的老化,介质层及其所含的缺陷会产生相当大的漏电流,使器件的可靠性和稳定性下降,也为LED的失效机理提供了理论依据。

关键词

介质层/LED/欧姆接触/漏电流

引用本文复制引用

主办单位

中国有色金属学会/中国有色金属工业协会/华南师范大学

会议名称

第十届全国MOCVD学术会议

会议时间

2007-11-01

会议地点

广州

会议母体文献

第十届全国MOCVD学术会议论文集

页码

212-216

出版时间

2007

段落导航