Y2O3涂层的MOCVD法制备工艺

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中文摘要：采用MOCVD法,通过金属有机先驱体Y(TMHD)3与O2反应在石英或CVD-SiC基片上制备Y2O3涂层,探索了制备工艺对沉积结果的影响.结果表明,先驱体气相浓度对Y2O3涂层生长方式和涂层与基片的结合强度有很大影响;沉积温度在600℃～700℃范围内,随着温度的升高涂层致密度提高,空洞缺陷减少.

作者：

付正、张立同、成来飞、龚磊、何国梅、罗立志、夏海平

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作者单位：

西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室

厦门大学化学化工学院

关键词：

氧化钇 CVD-SiC基片化学气相沉积沉积温度

主办单位：

中国机械工程学会

中国航空学会

中国复合材料学会

会议名称：

2007年航空装备及先进制造技术国际学术会议

会议时间：

2007-06-25

会议地点：

北京

会议母体文献：

2007年航空装备及先进制造技术国际学术会议论文集

页码：

16-19

出版时间：

2007