SI-GaAs晶片的PLmapping表征技术

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中文摘要：研究了扫描光致发光光谱(PLmapping)在表征半绝缘砷化镓(SI-GaAs)材料中的应用，实验结果表明SI-GaAs晶片的PL强度及mapping均匀性对器件性能有着十分密切的关系，所以在为制备器件筛选优质的SI-GaAs材料时，除了电阻率、迁移率、位错密度、碳含量、EL2浓度及其均匀性、晶片表面质量外，PLmapping也是表征材料质量的一个重要参数。

作者：

李光平

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作者单位：

信息产业部电子第四十六研究所(天津)

关键词：

光致发光光谱

主办单位：

中国电子学会

会议名称：

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

会议时间：

2000-10-31

会议地点：

海口

会议母体文献：

《功能材料与器件学报》6卷

页码：

365-368

出版时间：

2000