UHV/CVD系统外延Si<,1-X>Ge<,X>/Si过渡区特性分析

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UHV/CVD系统外延Si<,1-X>Ge<,X>/Si过渡区特性分析

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中文摘要：利用ＵＨＶ／ＣＶＤ系统进行了Ｓｉ〈，１－Ｘ〉Ｇｅ〈，ｘ〉／Ｓｉ外延，分别用二次离子质谱仪（ＳＩＭＳ）和ＳＳＭ－１５０型扩展电阻仪测量了其过渡层，并用扩散理论进行了分析。

作者：

黄靖云

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作者单位：

浙江大学硅材料国家重点实验室(杭州)

关键词：

锗硅材料

主办单位：

中国电子学会

会议名称：

第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会

会议时间：

1997-09-01

会议地点：

青岛

会议母体文献：

中国电子学会论文集第十届全国半导体集成电路硅材料学术会论文集(上)

页码：

19-20

出版时间：

1997