非晶硅光敏材料的高电阻率化研究

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非晶硅光敏材料的高电阻率化研究

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中文摘要：该文研究了用于制造非晶硅感光鼓的高阻非晶硅光敏材料，通过微量掺Ｂ、０，控制ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜中的ＳｉＨ〈，２〉和ＳｉＨ基团的组成比，有效地实现了非晶硅材料的高电阻率化，其暗电阻率ρ〈，ｔｌ〉≥１０〈’１３〉Ω·ｃｍ，在可见光至近红外光范围内，具有很高的单色光电导增益，σ〈，ｐｈ〉／σ〈，ｄ〉≥１０〈’１３〉。

作者：

杜新华

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作者单位：

北京科技大学材料物理系

关键词：

光敏材料

主办单位：

中国材料研究学会

会议名称：

'96中国材料研讨会

会议时间：

1996-11-21

会议地点：

北京

会议母体文献：

'96中国材料研讨会论文集(功能材料)

页码：

115-119

出版时间：

1997